2不同基质对羽叶薰衣草盆栽光合指标的影响

 

如表4-2所示，7、8、3、9、1、2、5号基质处理的羽叶薰衣草盆栽净光合速率略大于CK对照，且与CK对照无显著性差异，其中7号基质处理最大,为18.15μmolCO2·m2·s-1。4、10号基质处理的羽叶薰衣草净光合速率略小于CK对照，且与CK对照无显著性差异。6号基质处理的羽叶薰衣草净光合速率最小为11.44μmolCO2·m2·s-1，显著性小于CK对照。

 

7号基质处理的羽叶薰衣草蒸腾速率最大为，显著性大于CK对照。8、3、2、9、1、5号基质处理的羽叶薰衣草蒸腾速率略大于CK对照，且与CK对照无显著性差异。4、10、6号基质处理的羽叶薰衣草净光合速率略小于CK对照且与CK对照无显著性差异，其中6号基质处理最小。

 

7、8、3、2、9、1号基质处理的羽叶薰衣草胞间CO2浓度略大于CK对照，且与CK对照无显著性差异。5、10、4、6号基质处理的羽叶薰衣草胞间CO2浓度略小于CK对照，且与CK对照无显著性差异，其中6号基质处理最小。

 

7号基质处理的羽叶薰衣草气孔导度最大，显著性大于CK对照。8、3、1、9、2号基质处理的羽叶薰衣草气孔导度略大于CK对照，且与CK对照无显著性差异。5、4、10、6号基质处理的羽叶薰衣草气孔导度略小于CK对照，且与CK对照无显著性差异，其中6号基质处理最小。

 

各基质处理间的羽叶薰衣草瞬时水分利用率无显著性差异，说明不同栽培基质处理对该品种的瞬时水分率影响不大。其中以6、10号基质处理最大，分别为3.75、3.68，CK对照的羽叶薰衣草瞬时水分利用率最小。

 

综合来看，7号基质处理的羽叶薰衣草净光合速率、蒸腾速率、胞间CO2浓度、气孔导度均最大，说明7号基质处理的羽叶薰衣草生长最好，8号基质处理的各项指标次之，6号基质处理的表现最差。

这可能是由于各基质处理的综合肥力决定的，7、8号基质处理的综合肥力最高，植株生长较好。6号基质为无机基质，综合肥力最低，所以其薰衣草植株生长最差。各基质处理的羽叶薰衣草净光合速率、蒸腾速率、胞间CO2浓度、气孔导度基本呈正相关，瞬时水分蒸发率变化趋势与其他4项指标无明显规律性。